Гетероструктуры GaN и его твердые растворы обладают физическими свойствами, которые обеспечивают электронным приборам, выполненным на их основе, высокие оптические, мощностные и частотные характеристики, что позволяет применять их в разных областях полупроводниковой электроники. До недавнего времени GaN был больше известен как материал для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой области спектра. Однако сегодня нитрид галлия используется в качестве материалов с широкой запрещенной зоной для силовых полупроводников нового поколения, а также для высокочастотных устройств. Транзисторы, изготовленные с использованием нитрида галлия, выдерживают высокие напряжения и температуры.
В данный момент поставляются различные гетероструктуры на подложках кремния, карбида кремния (SiC) и сапфира. Особое внимание уделяется поставкам гетероструктур на подложках кремния (GaN-on-Si) ориентации (111) и (100), диаметром от 100 мм до 200 мм, ввиду повышенной теплопроводности и меньшей хрупкости. Схема представлена ниже.