Группа компаний «ИНТЕЛЭЛЕКТРОН»
Разработка, производство, испытания и поставка электронных компонентов и оборудования
- О компании
- Продукция
-
-
- ВЧ и СВЧ компоненты
- Интегральные схемы
- Пассивные СВЧ-компоненты
- Усилители и транзисторы
- Элементы СВЧ-тракта / волноводного тракта
- Антенны
- Функциональные модули и блоки
- Переключатели и реле
- Вентили, циркуляторы и изоляторы
- Фазовращатели, аттенюаторы, делители мощности, генераторы
- Соединители, переходники и кабельные сборки
- Материалы для производства СВЧ-компонентов
- ВЧ и СВЧ компоненты
-
-
- Кабели и соединители
- Волоконно-оптические кабели и разъёмы
- Электрические, силовые и сигнальные медные кабели
- Кабельные сборки
- Кабели специального назначения
- ВЧ и СВЧ соединители
- Защищённые и специальные соединители
- Промышленные электрические соединители
- Силовые соединители
- Круглые, цилиндрические разъёмы
- Соединители для печатных плат
- Кабели и соединители
-
-
-
- Системы отображения и фиксации информации
- Сегментные, буквенно-цифровые и матричные дисплеи
- Видеопанели и видеостены
- Видеоблоки и готовые системы видеосвязи
- Сенсорные экраны и устройства ввода
- Дисплеи общего, промышленного и специального назначения
- Видеоконтроллеры, инвертеры и матрицы
- Системы технического зрения и видеокамеры
- Видеокабели, соединители, драйверы и программное обеспечение
- Системы отображения и фиксации информации
-
- Оптика и фотоника
- Волоконно-оптические компоненты и модули
- Волоконно-оптические кабели и кабельные сборки
- Измерительное и технологическое оборудование
- Источники излучения и лазерные компоненты
- Лазерные и нелинейные кристаллы
- Счётчики фотонов
- Оптические модуляторы, сплиттеры, сумматоры
- Оптические приёмники, передатчики и трансиверы
- Оптические фильтры, аттенюаторы и драйверы
- Элементы на брэгговских решётках
- Оптика и фотоника
-
-
- Производители
- Испытательный центр
- Научная деятельность «ИНТЕЛЭЛЕКТРОН»
- Контакты
Нитрид галлия (GaN)
Гетероструктуры GaN и его твердые растворы обладают физическими свойствами, которые обеспечивают электронным приборам, выполненным на их основе, высокие оптические, мощностные и частотные характеристики, что позволяет применять их в разных областях полупроводниковой электроники. До недавнего времени GaN был больше известен как материал для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой области спектра. Однако сегодня нитрид галлия используется в качестве материалов с широкой запрещенной зоной для силовых полупроводников нового поколения, а также для высокочастотных устройств. Транзисторы, изготовленные с использованием нитрида галлия, выдерживают высокие напряжения и температуры.
В данный момент поставляются различные гетероструктуры на подложках кремния, карбида кремния (SiC) и сапфира. Особое внимание уделяется поставкам гетероструктур на подложках кремния (GaN-on-Si) ориентации (111) и (100), диаметром от 100 мм до 200 мм, ввиду повышенной теплопроводности и меньшей хрупкости. Схема представлена ниже.



Остались вопросы?
111123, Россия, Москва,
ул. Плеханова, д. 4а
8 (495) 545-42-56;
8 (495) 978-79-54