Группа компаний «ИНТЕЛЭЛЕКТРОН»

Разработка, производство, испытания и поставка электронных компонентов и оборудования

MENUMENU

АО «Экран-оптические системы» запустило первое в РФ промышленное производство наногетероструктур на основе арсенида галлия.

АО «Экран-оптические системы» («ЭОС») – один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в РФ. Приборы под брендом «ЭОС» работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории. Они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с 0 до 95%.

АО «ЭОС» опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников (ИФП) им. А. В. Ржанова СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии, в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия (GaAs).

Как сообщил генеральный директор АО «ЭОС» Андрей Гугучкин, производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, до 10 тыс. пластин GaAs в год.

На сегодняшний день «ЭОС» – единственное предприятие в стране, которое готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы. Сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

«При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ, – говорит Андрей Гугучкин. – Сотрудничество с ИФП – уникальный пример синергии науки и частного бизнеса. Мы не руководствуемся сиюминутной выгодой, а демонстрируем государственный подход к решению бизнес-задач: занимаемся сложной темой, необходимой для развития микроэлектроники – технологической основы рынков и продуктов цифровой эпохи. Именно те страны, в которых эта отрасль базовая, являются локомотивами мировой экономики».

Наногетероструктуры GaAs относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц. Они применяются при создании сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и многого другого.

«Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5 и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года, – поясняет Андрей Гугучкин. – ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия этот показатель увеличивается в разы – до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем – ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений – примерно 1 млрд рублей».

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа – до 1.2-1.5 млрд рублей; третьего – до 3 млрд рублей. Компания намерена освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

Остались вопросы?

111123, Россия, Москва,
ул. Плеханова, д. 4а

8 (495) 545-42-56;
8 (495) 978-79-54

Для консультации со специалистом:

* - Обязательные поля