Группа компаний «ИНТЕЛЭЛЕКТРОН»

Разработка, производство, испытания и поставка электронных компонентов и оборудования

MENUMENU

Сверхминиатюрные мощные eGaN транзисторы от EPC

Компания Efficient Power Conversion (EPC) запустила в производство 100-вольтовый eGaN полевой транзистор EPC2051 площадью 1.1 мм2. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 25 мОм, а импульсный ток 37 А. Устройство предназначено, главным образом, для использования в высокоэффективных преобразователях энергии.

 

Такие миниатюрные размеры (1.30мм × 0.85мм) в сочетании с исключительными рабочими характеристиками, делает транзистор просто незаменимым для разработчиков, требующих высокой эффективности и плотности мощности в своих приложениях. Несмотря на небольшие размеры, в схеме понижающего преобразователя 50 В — 12 В, КПД достигает 97% при выходном токе 4 А и частоте переключения 500 кГц. Стоимость EPC2051 установлена на уровне кремниевых транзисторов MOSFET, что дает возможность получить характеристики GaN полевых транзисторов по доступной цене.

По словам Алекса Лидоу (Alex Lidow), генерального директора EPC, способность eGaN транзисторов эффективно работать в силовых устройствах на высоких частотах увеличивает их отрыв от кремния в производительности и стоимости. Он также сказал, что 100-вольтовый EPC2051 в 30 раз меньше, чем ближайший по характеристикам кремниевый MOSFET.

Сочетание выдающихся электрических параметров, малые размеры и невысокая стоимость, позволит поднять технический уровень различных устройств, включая преобразователи входного напряжения для вычислительных и телекоммуникационных систем, лидары, светодиодные источники света и аудиоусилители класса D.

 

Тестовая плата EPC9091

 

Также производитель разработал тестовую плату EPC9091. Она рассчитана на максимальное напряжение 100 В, основана на включенных полумостом транзисторах EPC2051 и драйвере затворов UP1966A компании uPI Semiconductor. Эта плата размером 50.8 мм × 50.8 мм оптимизирована для коммутационных приложений и содержит все важнейшие компоненты, необходимые для оценки возможностей новых eGaN полевых транзисторов EPC2051.

Остались вопросы?

111123, Россия, Москва,
ул. Плеханова, д. 4а

8 (495) 545-42-56;
8 (495) 978-79-54

Для консультации со специалистом:

* - Обязательные поля