Группа компаний «ИНТЕЛЭЛЕКТРОН»

Разработка, производство, испытания и поставка электронных компонентов и оборудования

MENUMENU

Гетероструктуры в СВЧ электронике

В связи с тем, что растёт спрос полупроводниковой промышленности на высокочастотные, высокотемпературные и высокопроизводительные характеристики в АО «НИЦ «Интелэлектрон» налажена поставка ряда перспективных материалов, в том числе, нитрида галлия (GaN) на подложках сапфира, кремния и карбида кремния, и арсенида галлия (GaAs), применяемых в мощной СВЧ компонентной базе.

Особое внимание уделяется поставкам гетероструктур на подложках кремния (GaN-on-Si) ориентации (111) и (100), диаметром от 100 мм до 200 мм, ввиду повышенной теплопроводности и меньшей хрупкости. Схема представлена на рисунке 1.

Рисунок 1. Схема нитрид-галлиевых гетероструктур на кремниевых подложках.

 

Несмотря на ряд преимуществ GaN устройств (таблица 1), на данный момент конкурирующая арсенид-галлиевая технология более выгодна по себестоимости Таблица 1. Сравнительная характеристика основных параметров GaAs и GaN материалов

 

АО НИЦ «Интелэлектрон» непрерывно обновляет и расширяет номенклатуру поставляемой продукции, совершенствует качество оказываемых услуг и всегда готов помочь клиенту при подборе материалов и компонентов для конкретных задач.

Остались вопросы?

111123, Россия, Москва,
ул. Плеханова, д. 4а

8 (495) 545-42-56;
8 (495) 978-79-54

Для консультации со специалистом:

* - Обязательные поля